学名：Ginkgo shiguaiensis Sun, Dilcher, Wang，Sun et Ge
中文名：石拐银杏
形态描述：叶片半圆形至扇形，基角 80°～220°，具一长而细的叶柄。叶 30～40 mm 长，60～70 mm宽，首先自叶片中部分裂成 2 枚主裂片，然后，每一裂片再进一步分裂成 2 枚次一级裂片。通常最外侧的裂片顶端浅裂或深裂成末级裂片。裂片倒披针形至长倒卵形，顶端圆或钝圆。叶脉清晰，每 5 mm 有 10～12 条。叶双面气孔式，上表皮见稀疏不均匀分布的气孔。上、下表皮近于等厚。表皮细胞的平周壁上见有不均匀的角质增厚，但不形成乳突或毛刺。在下表皮气孔器数量较多，不均匀地分布在气孔带内，气孔不定向，保卫细胞略下陷，表面具有明显的放射状纹饰。副卫细胞 4～6 个，角质化显著，形成强烈的乳突几乎覆盖气孔（Sun et al., 2008）。
时代产地：内蒙古石拐盆地，召沟组下部；中侏罗世。
来源：中国化石裸子植物
中文名：石拐银杏
形态描述：叶片半圆形至扇形，基角 80°～220°，具一长而细的叶柄。叶 30～40 mm 长，60～70 mm宽，首先自叶片中部分裂成 2 枚主裂片，然后，每一裂片再进一步分裂成 2 枚次一级裂片。通常最外侧的裂片顶端浅裂或深裂成末级裂片。裂片倒披针形至长倒卵形，顶端圆或钝圆。叶脉清晰，每 5 mm 有 10～12 条。叶双面气孔式，上表皮见稀疏不均匀分布的气孔。上、下表皮近于等厚。表皮细胞的平周壁上见有不均匀的角质增厚，但不形成乳突或毛刺。在下表皮气孔器数量较多，不均匀地分布在气孔带内，气孔不定向，保卫细胞略下陷，表面具有明显的放射状纹饰。副卫细胞 4～6 个，角质化显著，形成强烈的乳突几乎覆盖气孔（Sun et al., 2008）。
时代产地：内蒙古石拐盆地，召沟组下部；中侏罗世。
来源：中国化石裸子植物